An innovation for prevention latchup,pseudo-latchup path method,has been put forward that is based on latchup effects of bulk-Si CMOS devices.
从体硅CMOS器件
闭
入手,提出了抑制闭一种新方法—伪闭路径法。
n. 互补金属氧化物半导体
95 Abstract With the rapid development of the IC manufacture, the critical dimension(CD) of the manufacturable CMOS technology has been put into 90nm, even 65nm and below from 130nm.
摘 要 随着IC制造技术快速发展，可量产CMOS技术，其特征线宽也由0.13um 进入了90nm甚至65nm及以下。
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An innovation for prevention latchup,pseudo-latchup path method,has been put forward that is based on latchup effects of bulk-Si CMOS devices.
从体
CMOS
件闭锁效应入手,提出了抑制闭锁一种新方法—伪闭锁路径法。
95 Abstract With the rapid development of the IC manufacture, the critical dimension(CD) of the manufacturable CMOS technology has been put into 90nm, even 65nm and below from 130nm.
摘 要 随着IC制造技术快速发展，可量产CMOS技术，其特征线宽也
0.13um 进入了90nm甚至65nm及以下。
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n. 互补金属氧化物半导体
An innovation for prevention latchup,pseudo-latchup path method,has been put forward that is based on latchup effects of bulk-Si CMOS devices.
从体硅CMOS器件
效应入手,提出
抑制一种新方法—伪路径法。
95 Abstract With the rapid development of the IC manufacture, the critical dimension(CD) of the manufacturable CMOS technology has been put into 90nm, even 65nm and below from 130nm.
摘 要 随着IC制造技术快速发展，可量产CMOS技术，其特征线宽也由0.13um 进入90nm
65nm及以下。
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n. 
补金属氧化物半导
补金属氧化物半导An innovation for prevention latchup,pseudo-latchup path method,has been put forward that is based on latchup effects of bulk-Si CMOS devices.
从
CMOS件闭锁效应入手,提出了抑制闭锁一种新方法—伪闭锁路径法。
95 Abstract With the rapid development of the IC manufacture, the critical dimension(CD) of the manufacturable CMOS technology has been put into 90nm, even 65nm and below from 130nm.
摘 要 随着IC制造技术快速发展，可量产CMOS技术，其特征线宽也0.13um 进入了90nm甚至65nm及以下。
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n. 互补金属氧化物半导
An innovation for prevention latchup,pseudo-latchup path method,has been put forward that is based on latchup effects of bulk-Si CMOS devices.
从硅CMOS器件闭锁效应入手,提出了抑制闭锁一种新方法—伪闭锁路径法。
95 Abstract With the rapid development of the IC manufacture, the critical dimension(CD) of the manufacturable CMOS technology has been put into 90nm, even 65nm and below from 130nm.
摘 要 随着IC制造技术快速发展，可量产CMOS技术，其特征线宽也由0.13um 进入了90nm甚至65nm及以下。
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n. 补金属氧化物半导
补金属氧化物半导An innovation for prevention latchup,pseudo-latchup path method,has been put forward that is based on latchup effects of bulk-Si CMOS devices.
硅CMOS器件闭锁效应入手,提出了抑制闭锁一种新方法—伪闭锁路径法。
95 Abstract With the rapid development of the IC manufacture, the critical dimension(CD) of the manufacturable CMOS technology has been put into 90nm, even 65nm and below from 130nm.
摘 要 随着IC制造技术快速发展，可量产CMOS技术，其特征线宽也由0.13um 进入了90nm甚至65nm及以下。
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n. 互补金属氧化物半导体
An innovation for prevention latchup,pseudo-latchup path method,has been put forward that is based on latchup effects of bulk-Si CMOS devices.
从体硅CMOS器件闭锁效应入手,提出了抑
闭锁一种新方法—伪闭锁路径法。
95 Abstract With the rapid development of the IC manufacture, the critical dimension(CD) of the manufacturable CMOS technology has been put into 90nm, even 65nm and below from 130nm.
摘 要 随着IC
术快
，可量产CMOS术，其特征线宽也由0.13um 进入了90nm甚至65nm及以下。
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n. 互补金属氧化物半导体
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从体CMOS件闭锁效应入手,提出了抑制闭锁一种新方法—伪闭锁路径法。
95 Abstract With the rapid development of the IC manufacture, the critical dimension(CD) of the manufacturable CMOS technology has been put into 90nm, even 65nm and below from 130nm.
摘 要 随着IC制造技术快速发展，可量产CMOS技术，其特征线宽也0.13um 进入了90nm甚至65nm及以下。
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n. 补金属氧化物半导体
补金属氧化物半导体An innovation for prevention latchup,pseudo-latchup path method,has been put forward that is based on latchup effects of bulk-Si CMOS devices.
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95 Abstract With the rapid development of the IC manufacture, the critical dimension(CD) of the manufacturable CMOS technology has been put into 90nm, even 65nm and below from 130nm.
摘 要 随着IC制造技术快速发展，可量产CMOS技术，
特征线宽也由0.13um 进入了90nm甚至65nm及以下。
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